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芯片电路修改
结构观察
晶体学分析
成分分析
光谱能量分析仪
失效样品分析

成分分析

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试验项目

元素成分分析、杂质及污染源分析。

试验参数

能谱仪：Super-X EDS

探头：Four Silicon Drift Detectors; A solid angle of 0.9 srad

CCD分辨率：4K*4K


试验标准

GB/T 30543等。

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