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芯片电路修改
结构观察
晶体学分析
成分分析
光谱能量分析仪
失效样品分析

结构观察

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试验项目

显微结构形貌分析、结构尺寸量测。

试验参数

电压范围：200kV

信息分辨率：0.12nm（TEM）

电子源：FEG

STEM探头：BF/DF/HAADF

HAADF图片分辨率：0.16 nm（STEM）


试验标准

GB/T 30543等。

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