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晶体学分析

晶体学分析.jpg
试验项目

高分辨成像、电子绕射图分析、晶格缺陷（dislocation）分析。

试验参数

电压范围: 200kV

信息分辨率：0.12nm(TEM )

电子源：FEG

STEM探头：BF/DF/HAADF

HAADF图片分辨率：0.16 nm(STEM)


试验标准

GB/T 18907、GB/T 30543等。

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