电性测试
芯片电性测试的主要目的是确保芯片的电气性能符合设计规格，从而保证芯片在实际应用中的可靠性和稳定性。通过电性测试，可以检测出芯片在正常工作状态下的电力消耗、电流、电压、电阻等参数是否符合预期，确保芯片在不同工作条件下的性能表现。芯片电性性测试是指对芯片设计特性进行测试，包括电流、电压、功率、阻抗等参数的测量。其基本原理是通过向芯片中注入电流或电压，然后测量芯片的响应，从而得到芯片的电学特性参数。实验室的电性测试主要可分为芯片静态测试以及芯片可靠性测试两个方面。
试验项目
芯片静态测试
包含I-V电特性量测（I-V Curve）、点针信号量测（Probe）、纳米探针电性量测。
芯片可靠性测试
包含静电放电/过度电性应力/闩锁试验（ESD/EOS/Latch-up）、横向电波小室抗扰度测试（TEM Cell EMI）、静电放电抗扰度(ESD GUN)、近场扫描量测（Near Field Scanner）以及传输线脉冲系统（TLP&VFTLP）。
