失效点定位
失效点定位是针对异常芯片的异常电性条件运行，查找失效点/特殊热点位置，并结合芯片的原始设计情况判断芯片失效的机理来进行失效可能发起路径定位。尤其是芯片内部的失效定位，需要全面的资讯，比如芯片设计版图、工艺、结构、材料等很多方面都会涉及到。失效定位在不破坏样品或者部分破坏样品的情况下，定位出失效问题的物理位置。
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试验项目
失效点定位可以分两种，一种是热点定位，另一种为电位衬度（Voltage Contrast）定位。
热点定位包含铟镓砷微光显微镜分析测试(InGaAs)、激光束电阻异常侦测 (OBIRCH)、Thermal EMMI (InSb)。
电位衬度定位可以分为主动式以及被动式，主动式有电子束吸收电流分析（EBAC ）以及导电原子力显微镜测试分析 (C-AFM) ; 被动式为被动式电压对比分析（PVC）。
